EUV lithography에서의 성공적인 미세 패턴 형성은 기존 DUV lithography 보다 더욱더 높은 공정 난이도가 요구됩니다. 기존 공정에서 고려되지 않던 다양한 변수들에 대한 예측이 필요합니다.
그에 따라 EUV mask, pellicle 등과 같은 공정 핵심 요소에 대한 성능을 시뮬레이션을 통해 예측하는 기술은 EUV lithography 공정 연구에서 필수 요소로 자리잡았으며
시뮬레이션을 통해 효율적으로 공정 솔루션을 찾는 연구가 진행 중입니다.
EUV-IUCC에서는 EUV 시뮬레이션을 통해 구조 및 물질에 따른 mask 및 pellicle의 성능 뿐 아니라, 열변형 및 오염에 따른 수명 예측 등 다방면의 효율적인 EUV 공정 예측 기술을 제공합니다.

• EUV mask 물질 및 구조에 따른 성능 분석
• EUV pellicle 물질 및 구조에 따른 성능 분석
• EUV pellicle 구조 및 오염입자에 따른 수명 예측
• EUV reticle pod 입자 오염 제어 특성 분석
• EUV 광 조사 시의 열 전달 해석 시뮬레이션