EUV resist

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EUV 광자의 높은 에너지로 인해 기존 DUV 노광 공정 대비 photon shot noise가 심화되며 이로 인한 stochastic effectEUV PR 개발 시 주요하게 고려해야 할 사안입니다.
이러한 점은 기본적으로 요구되는 PR의 특성인 우수한 감도와 해상도 및 낮은 선폭 거칠기에 대해 보다 높은 난이도의 기술을 필요로 합니다. 특히 EUV 광자에 대한 높은 광학 흡수도와 에칭
내성에 대한 엄격한 요구사항을 필요로 합니다. 따라서 기존 DUV 노광 공정에 적용되었던 PR의 성능을 개선하거나 새로운 소재에 대해 활발히 연구가 진행 중입니다.
EUV IUCC에서는 회원사에 새로운 공정 및 소재를 활용한 EUV PR 구조 연구를 지원하고, 방사광 가속기를 활용한 13.5 nm EUV beam으로 EUV PR 성능 평가 서비스를 제공합니다.

  • 새로운 공정 및 소재를 활용한 EUV PR 구조 디자인
  • 13.5 nm의 EUV 파장을 활용한 Interference lithography를 통해 감도, 선폭 거칠기 및 해상력 등 EUV PR의 성능 평가
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