EUV mask를 제작하기에 앞서 absorber 구조에 따른 시뮬레이션을 통해 패턴 및 pitch에 따른 mask 이미징 성능에 대한 개략적인 평가가 필요합니다.
또한 mask 3D 효과를 최소화하기 위한 흡수체 구조 연구가 선행되어야 하기 때문에 시뮬레이션 기반의 새로운 흡수체 물질과 구조 및 phase difference에 대한 연구가 진행되는 추세입니다.
EUV-IUCC에서는 실제 노광 환경을 모사한 시뮬레이션 툴을 활용하여 흡수체 구조에 따른 mask 이미징 성능을 평가하고, 이를 기반으로 mask 구조 설계를 위한 기초 데이터를 제공합니다.
또한 흡수체 증착 및 식각 공정을 통해 제작을 지원하고 세정액 등에 대한 내화학성 평가를 통해 양산 적용 가능성을 평가합니다.

• Pattern(Line/Space, Dot/Space)에 따른 aerial image 시뮬레이션을 통한 이미징 성능 평가
• Pitch 및 absorber 두께 별 aerial image 시뮬레이션을 통한 이미징 성능 평가
• Diffraction pattern 시뮬레이션을 통한 흡수체의 phase difference, reflectance, amplitude 측정
• Absorber 물질 별 최적의 이미징 성능을 나타내는 흡수체 구조 설계
• Absorber 조건에 따른 mask 3D 효과 (telecentricity error, best focus shift) 평가
• Latent image 시뮬레이션을 통한 LER, LWR, CDU 평가
• 설계 흡수체 제작을 위한 증착, 식각, 세정 공정 평가