E-beam 또는 DUV 광을 사용하는 기존의 검사 기술은 EUV mask 표면상에 존재하는 defect를 검출할 수 있지만 해당 파장은 다층으로 구성된 EUV mask 내부까지 침투할 수 없기 때문에
 올바른 정보를 분석하는데 한계가 존재합니다. 오직 노광 파장과 동일한 파장의 EUV 광을 사용하는 actinic 검사 기술만이 EUV 소재의 광학적 거동을 올바르게 분석할 수 있습니다.
이는 EUV pellicle에도 동일하게 적용됩니다. 기본적인 광학 특성인 투과도, 반사도는 EUV 파장을 활용하여 정확하게 평가 가능합니다. EUV pellicle의 주요 용도 중 하나인 오염물 차단
또한 actinic 파장을 통한 사전 평가가 필요합니다. 일반적으로 EUV pellicle에 의해 차단된 오염물은 최종 웨이퍼 패턴에 영향을 미치지 않는다고 알려져 있으나,
임계크기 이상의 오염물은 pellicle 표면에 위치하더라도 패턴 손실을 야기할 수 있으므로, 양산공정에 적용하기 전 반드시 이에 대한 선행 검사가 이루어져야 합니다. 
EUV IUCC에서는 coherent scattering microscope (CSM) 이라는 actinic tool을 활용하여 EUV mask와 pellicle 에 대한 actinic metrology & inspection 서비스를 제공합니다.

• Coherent diffractive imaging (CDI) 기술 중 하나인 ptychography를 이용한 EUV mask 패턴 계측 (Resolution ~54nm (mask side), 6” mask 평가 가능)
• Mask 회절 효율 분석 및 phase shift mask 평가
• EUV mask 및 pellicle의 EUV 반사도 측정
• EUV pellicle의 EUV 광 투과도 측정
• EUV mask와 EUV pellicle을 결합한 through-pellicle imaging
• EUV pellicle 상의 오염물 검측 및 pattern에 미치는 영향 확인 가능